讲座题目：Structural and optical properties of rare earth doped GaN 主讲人：秋本克洋 主持人⚖️：胡小波 开始时间：2019-10-11 10:00:00 讲座地址：信息楼240 主办单位：通信与电子工程学院
报告人简介： 秋本克洋，男🏊🏿♂️，1950年9月生于日本兵库县，筑波大学特命教授，第145届日本学术振兴会晶体生长与表征分部委员、2014及2015年日本文部省科研基金委员会会评专家☂️、日本学术振兴会光电转换部第125届干事及162届运营委员、SCI期刊《Journal of Crystal Growth》客座编辑，SCI期刊《Applied Surface Science》顾问编委，SCI期刊《Japan Journal of Applied Physics》编辑委员🤸♀️，日本应用物理学会组委会常委。 1979年毕业于京都大学表面化学专业，获得理学博士学位。1979年到1993年在索尼中央研究院从事蓝光激光及发光二极管材料的研发工作🤹🏿♀️，研究GaAs及ZnSe的蓝光发光特性，是蓝光发光材料的研究先驱。1993到筑波大学从事半导体材料与器件方面的教学及科研工作，1998年晋升教授💁🏿♂️，2012至2014年担任筑波大学理学部部长🚳。 主要研究方向包括稀土金属掺杂GaN发光材料及器件的制备表征、铜铟镓硒太阳电池内部缺陷表征及效率优化、有机太阳电池性稳定性及效率优化，电沉积制硅、非晶碳，碳化硅MOS器件研究等。秋本教授主持并完成日本文部科学省学振JSPS及研究开发法人新能源产及技术综合开发机构NEDO等政府项目共11项🍳⛹🏿、索尼🙍🏿、住友化学等公司横向项目20余项👨🏿🍳，发表SCI收录文章202篇，著有半导体相关书籍专著12本，申请并获准美国专利8项，日本专利26项👩🏼🚀🚶♀️。 报告内容： Rare earth doped semiconductors have unique optical properties due to intra 4f-4f electronics transition which is almost unaffected by the outer surroundings, and has potentials for developing novel functional optical devices such as monolithic LED display, up- and down-conversion devices and so on. In the presentation, the structural and optical properties of Eu doped GaN studied by RBS/Channeling, Extended X-ray Absorption Fine Structure analysis, Photoluminescence (PL) and PL excitation spectra and Positron Annihilation spectra are discussed. The Eu ions are incorporated into a little bit displaced Ga site with vacancy defect. The Eu related luminescence was found to be generated through deep defect mediated process. The results are compared with those of Tb doped GaN which show extremely poor luminescence property. The cause of the poor luminescence property of Tb doped GaN is discussed based on the optical process in GaN. |
